| PART |
Description |
Maker |
| HEMT-3301 |
940 nm高辐射发
HEMT-3301 · 940 nm High Radiant Emitter
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Agilent (Hewlett-Packard)
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| SFH4289 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Geh漉se mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens 发动器红外光在SMT Lumineszenzdiode，盖赫锓林斯本身麻省理工学院在SMT封装的GaAIAs红外发射器与镜头
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Electronic Theatre Controls, Inc.
ETC
OSRAM GmbH
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| SFH426 SFH421 Q62703-P0331 Q62702-P1055 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package 发动器红外光在SMT Lumineszenzdiode，在SMT Geh锓包GaAlA红外发射
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in 3.0 SMT-Gehuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package
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SIEMENS AG
Infineon
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| SFH40912 Q62702P1002 Q62702P0860 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
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OSRAM GmbH
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| SFH4271 |
IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter
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OSRAM GmbH
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| Q62703Q6175 Q62703Q1094 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
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OSRAM GmbH
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| SFH4555 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4235 Q65110A8900 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| OLD123 |
1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm
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OKI ELECTRIC INDUSTRY CO LTD
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| OED-ELR2444 |
2.4 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm
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Lumex, Inc.
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| QEB363.YR |
1.9 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm
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QT OPTOELECTRONICS
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